臺(tái)積電在4月14日第一季度的電話(huà)會(huì)議上表示，正全力以赴地開(kāi)發(fā)下一代芯片制造工藝。目前這個(gè)半導(dǎo)體巨頭計(jì)劃在下半年量產(chǎn)3nm工藝芯片。其2nm工藝芯片最早將會(huì)在2025年投產(chǎn)。

在這次電話(huà)會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家回應(yīng)了大家兩個(gè)問(wèn)題。一是關(guān)于臺(tái)積電應(yīng)對(duì)通貨膨脹與整個(gè)經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的問(wèn)題。魏哲家回答說(shuō)，臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的代工企業(yè)，有能力應(yīng)對(duì)市場(chǎng)波動(dòng)。

二是有關(guān)臺(tái)積電2nm工藝節(jié)點(diǎn)的時(shí)間表問(wèn)題，魏哲家表示，其公司的2nm工藝正在研發(fā)中，有信心在2nm工藝依舊保持技術(shù)領(lǐng)先地位，該工藝將會(huì)在2024年開(kāi)始預(yù)生產(chǎn)，與于2025年正式投產(chǎn)。

據(jù)悉，臺(tái)積電將會(huì)在2nm工藝上采用GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，取代finFET (鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。目前三星為了和臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，做法比較激進(jìn)，將會(huì)在3nm工藝就用上GAA技術(shù)。而臺(tái)積電為了提供給客戶(hù)最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本，保守的選擇finFET技術(shù)生產(chǎn)3nm工藝芯片。

臺(tái)積電預(yù)測(cè)，HPC(高性能計(jì)算)將會(huì)是其今年增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。上一季度HPC占其收入的41%，僅比智能手機(jī)產(chǎn)生的40%略高。物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)分別以了8%和5%的收入占比，排在第三和第四位。

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