在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，能玩得起的公司主要就是臺(tái)積電、三星和Intel了，現(xiàn)在是臺(tái)積電最為領(lǐng)先，今年下半年就要小規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝了，有分析稱Intel會(huì)在2025年憑借18A工藝實(shí)現(xiàn)超越，不過臺(tái)積電也不會(huì)等著，現(xiàn)在已經(jīng)開始上馬1.4nm工藝了。

臺(tái)積電的芯片工藝也是準(zhǔn)備了多代的，目前3nm是即將準(zhǔn)備量產(chǎn)，2nm工藝工廠還在建設(shè)中，技術(shù)研發(fā)的差不多了，預(yù)定2024年試產(chǎn)，2025年才能量產(chǎn)，大量2nm芯片上市恐怕要到2026年了。

按照摩爾定律的演進(jìn)，2nm節(jié)點(diǎn)之后會(huì)是1.4nm(每次迭代是0.7x上代工藝)，最新消息稱臺(tái)積電已經(jīng)決定上馬1.4nm工藝，團(tuán)隊(duì)主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊(duì)伍組成，下個(gè)月就會(huì)確認(rèn)，進(jìn)入第一階段TV0開發(fā)，主要是確定1.4nm技術(shù)規(guī)格。

當(dāng)然，現(xiàn)在談?wù)?.4nm工藝量產(chǎn)就太早了，按照臺(tái)積電3nm到2nm的升級(jí)間隔來算，1.4nm就算研發(fā)順利，量產(chǎn)也是2027到2028年的事了。

究其原因就是1.4nm工藝已經(jīng)進(jìn)入1nm范疇，這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限了，大約等于10個(gè)原子的直徑，制造起來是非常困難的，從半導(dǎo)體設(shè)備到材料再到工藝路線都要全面升級(jí)，需要克服量子隧穿效應(yīng)，否則芯片就要失效了。

關(guān)鍵詞： 工藝量產(chǎn) 技術(shù)研發(fā) 芯片上市 工藝路線